，據(jù)國外媒體報道，原計劃建成之后采用22/28nm工藝為相關(guān)客戶代工晶圓的臺積電日本合資工廠，將增加12/16nm工藝，工廠的投資也將會有增加。

而在去年11月9日宣布在日本設(shè)立合資公司并建廠時，臺積電方面是預計全部資本支出約為70億美元，直接創(chuàng)造1500個高技術(shù)專業(yè)崗位。

臺積電在日本設(shè)立合資公司并建設(shè)晶圓廠，是在去年的11月9日正式宣布的，合資公司名為日本先進半導體制造公司，設(shè)在熊本縣，與索尼半導體解決方案公司合資設(shè)立，索尼方面計劃投資約5億美元，獲得不超過20%的股份。對比5nm，三星新的3nmGAA可以讓面積縮小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。。